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ZXMP2120FFTA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMP2120FFTA

1个P沟道 耐压:200V 电流:137mA

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描述
这款200V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格,具备高效的功率处理能力、高阻抗,且不会出现热失控和热致二次击穿问题。受益于该器件的应用包括各种电信和通用高压电路。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMP2120FFTA
商品编号
C460278
商品封装
SOT-23F​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)137mA
导通电阻(RDS(on))28Ω@10V,150mA
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)100pF@25V
反向传输电容(Crss)7pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款200V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格,具备高效的功率处理能力、高阻抗,且不会出现热失控和热致二次击穿问题。 受益于该器件的应用包括各种电信和通用高压电路。

商品特性

  • 高电压
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低栅极驱动
  • 低阈值
  • SOT23扁平封装

应用领域

  • 48伏DC-DC转换器中原边MOSFET的有源钳位

数据手册PDF