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ZXTN2005GTA
低饱和晶体管 NPN 电流:7A 电压:25V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 50mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 30mΩ @ 6.5A 用于低等效导通电阻。 hFE 规定高达 20A 以实现高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTN2005GTA
- 商品编号
- C460286
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 7A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 300@1A,1V | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 55mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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