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2DB1184Q-13
中功率晶体管 PNP 电流:3A 电压:50V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -50V。 高连续集电极电流：IC = -3A。 峰值脉冲电流：ICM = -4.5A。 外延平面管芯结构。 低集电极-发射极饱和电压。 适用于中功率开关或放大应用。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DB1184Q-13
- 商品编号
- C460639
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 120@0.5A,3V | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |