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ZXTP2008ZTA
低饱和中功率晶体管 PNP 电流:5.5A 电压:30V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A，连续集电极电流。 ICM = -20A，峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(SAT) < -60mV 最大值，@ -1A。 RSAT = 24mΩ，@ -5.5A，低等效导通电阻。 出色的增益线性度，低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP2008ZTA
- 商品编号
- C460769
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 直流电流增益(hFE) | 70@5A,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 60mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |