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2DB1386R-13
PNP 电流:5A 电压:20V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -20V。 IC = -5A，高连续电流。 低饱和电压VCE(sat) < -1V @ -4A。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DB1386R-13
- 商品编号
- C460640
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 180@0.5A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |