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2DA1201Y-7
硅晶体管 PNP 电流:800mA 电压:120V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -120V。 最大连续电流 IC = -0.8A。 高增益保持 hFE ≥ 120 @ IC = -100mA。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DA1201Y-7
- 商品编号
- C460636
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@100mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 160MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@500mA,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
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