2DB1132R-13
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 180@100mA,3V | |
| 特征频率(fT) | 190MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@500mA,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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5000+￥0.361372￥0.8213￥2053.25
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