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2DB1132R-13
PNP 电流:1A 电压:32V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -32V。 IC = -1A，高连续集电极电流。 互补NPN类型。 非常适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2DB1132R-13
- 商品编号
- C460638
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 180@100mA,3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 190MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@500mA,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
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