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ZXMN7A11GTA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMN7A11GTA

1个N沟道 耐压:70V 电流:2.7A

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描述
新一代沟槽式MOSFET采用独特结构,兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其成为高效、低电压电源管理应用的理想之选。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMN7A11GTA
商品编号
C460277
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.151克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)70V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V,4.4A
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)7.4nC@10V
输入电容(Ciss)298pF@40V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构,兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适合高效、低压电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低阈值
  • 低栅极驱动
  • 无铅涂层;符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • 另有符合汽车标准的型号(ZXMN7A11GQ),其数据手册单独提供

应用领域

  • DC-DC 转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制-D 类音频输出级

数据手册PDF