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ZX5T851GTA
NPN 6A 60V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 60V。 IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat)<-60mV @-1A。 RSAT = 35mΩ 低等效导通电阻。 nFE 指定至 10A 高增益保持。应用：应急照明电路。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZX5T851GTA
- 商品编号
- C460271
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40@10A,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 130MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 50mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |