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ZXMN10B08E6TA
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.9A
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- 描述
- MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，适用于高效、低电压的电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10B08E6TA
- 商品编号
- C460275
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V,1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |