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IGI60L2727B1MXUMA1

集成高低侧栅极驱动器的GaN半桥，具有可配置开关速度、超快自举二极管和快速输入输出传播特性

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IGI60L2727B1MXUMA1
商品编号: C42669655
商品封装: TFLGA-27(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 8.42克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数量	2个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	1.2nC；1.2nC
	输入电容(Ciss)	83.5pF
	反向传输电容(Crss)	0.13pF
	工作温度	-40℃~+125℃
	输出电容(Coss)	12.1pF
	导通电阻(RDS(on))	270mΩ；270mΩ

商品概述

IGI60L2727B1M将由两个270 mΩ（典型导通电阻Rdson）/ 600 V增强型CoolGaNTM开关组成的半桥功率级与集成栅极驱动器集成在一个6 x 8 mm的TFLGA - 27小型封装中。在中低功率领域（如图1所示的示例配置），它非常适合利用CoolGaNTM功率开关卓越的开关性能，支持高密度电机驱动器和开关模式电源（SMPS）的设计。英飞凌的CoolGaNTM及相关功率开关提供了非常坚固的栅极结构。当在“导通”状态下由几毫安的连续栅极电流驱动时，始终能保证最小导通电阻Rdson。由于氮化镓（GaN）特定的低阈值电压和快速开关瞬态特性，在某些应用中需要负栅极驱动电压，以实现快速关断并避免交叉导通效应。这可以通过驱动器和开关之间众所周知的RC接口来实现。几个外部贴片电阻和电容可以轻松适应不同的功率拓扑。驱动器采用英飞凌的SOI技术，以实现出色的坚固性和抗噪能力，并能够在负栅极电压下保持操作逻辑。浮动通道可用于通过集成自举配置驱动高端GaN芯片。

商品特性

半桥配置中的两个270 mΩ GaN开关，集成了高端和低端栅极驱动器
源极/漏极驱动电流 +0.29 A / -0.7 A
应用可配置的导通和关断速度
集成超快速低电阻自举二极管
快速的输入到输出传播（典型值98 ns），通道间失配极小
PWM输入信号
标准逻辑输入电平，与数字控制器兼容
单栅极驱动器电源电压（典型值12 V），具有快速欠压锁定（UVLO）恢复功能
低端开漏源极，用于通过外部分流电阻进行电流检测
热增强型6 x 8 mm TFLGA - 27封装
产品完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

低功率电机驱动器
低功率开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	4.8A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V