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JTD8205A
20V,6A,10V内阻20MΩ
- 描述
- 20V,6A,10V内阻20MΩ
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTD8205A
- 商品编号
- C42443461
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
-先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计-高功率和高电流处理能力
应用领域
-锂离子电池组应用