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JTDBC3216
- -20V，-7A,-4.5V内阻23MΩ
- 描述
- -20V，-7A,-4.5V内阻23MΩ
- 品牌名称
- JTD(晶泰达)
- 商品型号
- JTDBC3216
- 商品编号
- C42443467
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0862克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BC3216采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -16 A
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS） = -4.5V时为11.3 mΩ（典型值）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS） = -2.5V时为15.8 mΩ（典型值）
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理