我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
JTD2317B实物图
  • JTD2317B商品缩略图
  • JTD2317B商品缩略图
  • JTD2317B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JTD2317B

- -20V,-7A,-4.5V内阻23MΩ

描述
-20V,-7A,-4.5V内阻23MΩ
品牌名称
JTD(晶泰达)
商品型号
JTD2317B
商品编号
C42443462
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)16V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)12nC
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

JTD2317B采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -16 V,漏极电流ID = -6.5 A
  • 导通电阻RDS(ON):在栅源电压VGS=-4.5V时为25 mΩ(典型值)
  • 导通电阻RDS(ON):在栅源电压VGS=-2.5V时为35 mΩ(典型值)
  • 具备高功率和大电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF