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APM4435-TD
采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- P沟道,-30V,-8A,
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- APM4435-TD
- 商品编号
- C42421819
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
APM4435-TD采用先进的沟槽技术，提供优异的R_DS(ON)、低栅极电荷，并支持低至2.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压30V，漏极电流15A
- 当栅源电压为10V时，导通电阻为13mΩ
- 当栅源电压为4.5V时，导通电阻为19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源