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12N65-TD-TO220F
N沟道硅MOSFET
- 描述
- 1个N沟道 耐压:650V 电流:12A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 12N65-TD-TO220F
- 商品编号
- C42422155
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.339216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道；1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
APM4953采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 42 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 双P沟道MOSFET
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