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MGX40N120N

N沟道碳化硅功率MOSFET,具备独立驱动源极引脚、高耐压低导通电阻、高速开关低电容等特性

品牌名称
Megain(美佳音)
商品型号
MGX40N120N
商品编号
C42422400
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
8.147778克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)57A
耗散功率(Pd)255W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)115nC
输入电容(Ciss)1.456nF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)96pF
导通电阻(RDS(on))35mΩ@18V

商品概述

VDS为1200V,ID为57A,在栅源电压VGS = 18V时,导通电阻RDS(ON)小于46mΩ(典型值为35mΩ);在栅源电压VGS = 15V时,导通电阻RDS(ON)小于52mΩ(典型值为40mΩ)。

商品特性

  • 采用优化封装,带有独立的驱动源极引脚
  • 高阻断电压,低导通电阻
  • 高速开关,低电容
  • 快速且坚固的本征体二极管
  • 易于并联

应用领域

  • 开关模式电源
  • DC/DC转换器
  • 太阳能逆变器
  • 电池充电器
  • 电机驱动器

数据手册PDF