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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低电容快速开关
- 无卤,符合RoHS标准
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
应用领域
- 高频开关模式电源
- 电机驱动器
- LED电源