温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VESD08C1-HD1-G3-08-HXY
单向ESD 8V截止 峰值浪涌电流：6A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD保护类别，具有6安培的峰值脉冲电流（IPP）承载能力，能够在遇到瞬时大电流时迅速响应，为电路提供稳固保护。其反向工作电压（VRWM）为8伏特，适用于需要在该电压水平下保持稳定运行的设备。器件电容值（CJ）为45皮法，对信号完整性影响极小，确保高速数据传输的可靠性。采用单通道设计，并且是单向（Uni-directional）类型，意味着它主要在一个方向上提供保护，适合应用于需要定向保护、防止静电放电和瞬态过压损害的电子线路中。
- 商品型号
- VESD08C1-HD1-G3-08-HXY
- 商品编号
- C42416200
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 6A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 8.5V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 45pF |
商品概述
VESD08C1-HD1-G3-08可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。 它为设计师提供了在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路的灵活性。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±8kV（接触）
- ±15kV（空气）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：150W（8/20μs）
- 工作电压：8V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：65pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 封装：DFN1006 - 2L（DFN1006 - 2A）
相似推荐
其他推荐
- ESDLC12VD3B-HXY
- D1213A-01WS-7-HXY
- DF2B18FUH3F-HXY
- STS321120U372-HXY
- DBLC03CI-7-HXY
- ESD5V0LB-HXY
- D24V0L1B2LP-7B-HXY
- D5V0L1B2LPS-7B-HXY
- D5V0L1B2LP-7B-HXY
- D24V0L1B2LPS-7B-HXY
- STN101050BL90-HXY
- VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY
- SPHV15-01KTG-HXY
- VESD12C1-HD1-G3-08-HXY
- VESD05C1-02V-G3-08-HXY
- ESDLC5V0D9-HXY
- PESD7V0L1BSLAZ-HXY
- AQHV15-01ETG-C-HXY
- SPHV15-01KTG-C-HXY
- AOZ8S507BDS-07
- HPESD3V3S1BA