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ES2302 S2
N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
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- 描述
- ES2302 S2是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES2302 S2
- 商品编号
- C42412316
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
ES2302 S2是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES2302 S2为无铅产品。
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 45 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 62 m Ω(典型值)@ VGS = 2.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备ESD保护
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换
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