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ESGNU04R02
N沟道 耐压:40V 电流:140A
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- 描述
- ESGNU04R02是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESGNU04R02
- 商品编号
- C42412307
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF |
商品概述
ESGNU04R02是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESGNU04R02为无铅产品。
商品特性
- 40V,在VGS = 10V时,RDS(ON)=2mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON)=3mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换