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ESS2022A
P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESS2022A
- 商品编号
- C42412309
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V；14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
商品概述
ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESS2022A 为无铅产品。
商品特性
- -20V，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 11 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V
- 导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 14 mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 电源管理
- DC/DC 转换