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ESNU07R086
N沟道，30V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESNU07R086
- 商品编号
- C42412313
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6774克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.065nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品概述
ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽工艺和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESNU07R086 为无铅产品。
商品特性
- 68V，栅源电压为 10V 时，漏源导通电阻 = 6.6 mΩ（典型值）
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换