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ESD3045DN33
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:25A
- 描述
- ESD3045DN33采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESD3045DN33
- 商品编号
- C42412308
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.5W；25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF；980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF；60pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF；80pF |
商品概述
ESD3045DN33采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 30V RDS(ON) = 18mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 24mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
- P沟道
- -30V RDS(ON) = 15mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- RDS(ON) = 22.5mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- 快速开关
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(on)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换