温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESDNJ03R4
N沟道，30V，41A，5.0mΩ@10V,20A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESDNJ03R4
- 商品编号
- C42412251
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.983nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
商品概述
ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESDNJ03R4为无铅产品。
商品特性
- 30V,RDS(ON) = 5.0 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 6.5 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换