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IRFB7440PBF(ES)
N沟道 耐压:40V 电流:140A
- 描述
- IRFB7440PBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRFB7440PBF(ES)
- 商品编号
- C42412304
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF |
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IRFB7440PBF(ES)为无铅产品。
商品特性
- 40V,RDS(ON) = 2 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 3 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换