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AO4614B(ES)
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:6.8A
- 描述
- AO4614B(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还可用于许多其他应用。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO4614B(ES)
- 商品编号
- C42412250
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1848克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；1.55V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF；410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；35pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF；140pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 30 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 出色的封装，散热性能良好。