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AO4614B(ES)
N沟道+P沟道 耐压:40V 电流:6.8A
- 描述
- AO4614B(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还可用于许多其他应用。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO4614B(ES)
- 商品编号
- C42412250
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1848克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF；410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；35pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF；140pF |
商品概述
AO4614B(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- 40V,VGS = 10V时,RDS(ON) = 20mΩ(典型值)
- VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 28mΩ(典型值)
- P沟道
- -40V,VGS = -10V时,RDS(ON) = 38mΩ(典型值)
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 48mΩ(典型值)
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换