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HLESD8D5.0CAT5G-HXY

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：9A

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描述: 这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）最大工作电压VRWM为5V，且其结电容CJ仅为10pF。该元件适用于单线（LINE:1）保护场景，并采用了双向（Bi）设计，可以有效地在两个方向上提供保护，有助于电子产品在面对瞬间高能量脉冲时的安全防护，减少敏感电路受到的潜在损害。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HLESD8D5.0CAT5G-HXY
商品编号: C42402006
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.010579克(g)

商品参数

商品概述

HLESD8D5.0CAT5G可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）。

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
符合人体模型3级ESD等级
具备IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
产品材料符合RoHS要求且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	10V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A
	峰值脉冲功率(Ppp)	90W
	击穿电压(VBR)	8.2V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF