HESDBM3V3A1

双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：9A

描述

该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型，具有9A的峰值脉冲电流（IPP）处理能力和3.3V的最大工作电压（VRWM），适用于需要双向保护的应用场景。其电容值（CJ）为15pF，表明它对信号完整性影响较小，适合高速数据传输线路的保护。此元件设计用于单线（LINE:1）配置，能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制，防止因过电压或静电放电造成的损坏。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HESDBM3V3A1

商品编号

C42402009

商品封装

DFN1006-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.011196克(g)