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HPESD5V0U1BLN
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A
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- 描述
- 该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计，适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。其IPP/A（峰值脉冲电流）为2.5A，能够有效应对突发的高能冲击；VRWM/V（工作电压）设定为5V，确保在正常工作状态下稳定运行；CJ/pF（结电容）仅为2.5pF，表明它具有低寄生电容特性，适合于高速数据线路的保护。单线结构使其易于集成到各种电子设备中，提供可靠的过压防护。
- 商品型号
- HPESD5V0U1BLN
- 商品编号
- C42402008
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 10V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2.5A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W | |
| 击穿电压(VBR) | 8.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 2.5pF |
商品概述
HPESD5V0U1BLN可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 超低电容2.5 pF
- 低钳位电压
- 小外形尺寸：0.039英寸×0.024英寸（1.00 mm×0.60 mm）
- 低本体高度：0.020英寸（0.5 mm）
- 耐受电压：5 V
- 低泄漏
- 响应时间通常< 1.0 ns
- IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
- 这是一款无铅器件