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HESDBL12VA1
双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：8A
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- 描述
- 这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别，专为电子设备提供过电压保护。其IPP/A值为8A，能够有效应对瞬态峰值脉冲电流；VRWM/V为12V，适用于中低电压环境下的电路保护。结电容CJ/pF仅为6.5pF，表明该器件对信号完整性影响极小，适合高频应用。作为单线（LINE:1）双向（TYPE:Bi）设计，它能在两个方向上同时提供防护，非常适合于各种消费电子产品及通信设备中敏感元件的保护。
- 商品型号
- HESDBL12VA1
- 商品编号
- C42402005
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 17V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 140W | |
| 击穿电压(VBR) | 13.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 8pF |
商品概述
HESDBL12VA1可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活地保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）。
商品特性
- 小外形尺寸：1.00mm×0.60mm
- 低外形高度：0.50mm
- 低泄漏
- 典型响应时间 < 1ns
- 符合人体模型3级ESD等级
- IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
- 产品材料符合RoHS要求且无卤