温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM3028D
耐压:30V 电流:90A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.9mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：93nC@5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.25nF@15V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3028D
- 商品编号
- C42372663
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.31nF |
商品概述
AGM3028D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器