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AGM025N10AT实物图
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AGM025N10AT

1个N沟道 耐压:100V 电流:253A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):253A 功率(Pd):250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs):122nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):8.15nF@50V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM025N10AT
商品编号
C42372678
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.613333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)253A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)122nC@10V
输入电容(Ciss)8.15nF
反向传输电容(Crss)57pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)3.03nF

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