我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
AGMH065N10C实物图
  • AGMH065N10C商品缩略图
  • AGMH065N10C商品缩略图
  • AGMH065N10C商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGMH065N10C

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.83nF@40V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGMH065N10C
商品编号
C42372681
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.838克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))7.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)227W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)1.83nF@40V
反向传输电容(Crss)750pF@40V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

    购买数量

    (50个/管,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个50个/管

    总价金额:

    0.00

    近期成交1