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AGMH602H
1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：186W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：93nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.93nF@30V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH602H
- 商品编号
- C42372682
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.702克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 224W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.168nF |