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AGM3407EL实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM3407EL

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):0.56nF@15V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM3407EL
商品编号
C42372680
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.056克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.5nC@10V
输入电容(Ciss)560pF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)89pF

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
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