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AGM20P25AS
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@4.5V,4A 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.673nF@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM20P25AS
- 商品编号
- C42372664
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 673pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
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