AGM320ME
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
- 描述
- 类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A/-2.0A 功率(Pd):1.7W/1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,10A;70mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA/-1.5V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs):11.7nC@10V;13.2nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):0.618nF@15V;0.689nF@-15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM320ME
- 商品编号
- C42372668
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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