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AGM305MD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM305MD

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:45A

描述
类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):45A/-45A 功率(Pd):23W/31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,20A;7.6mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA/-1.6V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs):17nC@10V;61nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@15V;2.98nF@-15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)/-55 To 175℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM305MD
商品编号
C42372669
商品封装
TO-252-4L​
包装方式
编带
商品毛重
0.416克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)23W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF@15V
反向传输电容(Crss)211pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

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优惠活动

  • 9.5

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    (2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个2500个/圆盘

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