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AGM206MDP
2个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：8A功率(Pd）：35.7W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：16mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：8.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.333nF@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM206MDP
- 商品编号
- C42372677
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.246nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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