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AGM65R640D
耐压:650V 电流:7A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7.0A 功率(Pd)：61W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.57Ω@10V,3.5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.423nF@40V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM65R640D
- 商品编号
- C42372667
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
AGM65R640D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-电子镇流器-电子变压器-开关电源