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HC3M0021120K
ID:81A VDSS:1200V RDON:21mR N沟道
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- 描述
- 该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有81A的额定电流（ID），可承受最大1200V的漏源电压（VDSS）。其显著特点是拥有低至21毫欧的导通电阻（RDON），这有助于大幅度减少电力损耗，增强系统效率。此元件适用于多种高频率开关应用场合，比如便携式电子设备的充电解决方案，或是服务器端的电源供应单元，均能体现出其在高压高频环境下的优良表现。
- 商品型号
- HC3M0021120K
- 商品编号
- C41428803
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.576667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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