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HC1M60120D
ID:40A VDSS:1200V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有40A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达1200伏特，适用于需要高电压处理能力和良好热稳定性的电路设计。其导通电阻（RDON）仅为60毫欧姆，在导通状态下能够有效降低功耗，提高系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件，它能够在逻辑电平驱动下工作，适合用于高性能开关电源、太阳能逆变器以及其他要求严苛的电力转换应用中，提供快速的开关响应与可靠的性能表现。
- 商品型号
- HC1M60120D
- 商品编号
- C41428810
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.764516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 59pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个30个/管
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