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HC1M15120S
5件套 ID:125A VDSS:1200V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具备125A的电流承载能力（ID），并且拥有高达1200伏特的最大漏源电压（VDSS），适用于需要高电压耐受性和大电流通过的应用场景。其低至15毫欧姆的导通电阻（RDON）有助于减少电力损耗，增强系统效率。作为一款N沟道器件，它能在高速开关应用中提供优异的性能，适用于高频开关电源、不间断电源系统以及电力转换设备中的关键部件，确保在高压环境下依然保持稳定的电力传输和高效的能量转换。
- 商品型号
- HC1M15120S
- 商品编号
- C41428811
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 42.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 耗散功率(Pd) | 681W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.508nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 214pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@18V |
商品概述
该产品采用优化的封装设计，配备独立的驱动源引脚，能够降低开关损耗并减少栅极振铃，从而提升系统效率。它有助于减少散热需求，增加功率密度，并提高系统开关频率。
商品特性
- 第三代碳化硅 MOSFET 技术
- 优化的封装，配备独立的驱动源引脚
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 快速本征二极管，反向恢复电荷 Qrr 低
- 无卤素，符合 RoHS 标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压 DC/DC 转换器
- 开关模式电源