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HC3M0021120D
ID:81A VDSS:1200V RDON:21mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID为81A，具备1200伏特的最大漏源电压（VDSS），能够在高压环境下稳定工作。其N沟道设计允许电流从漏极流向源极，适用于需要高效能转换的应用。此MOSFET的导通电阻（RDON）仅为21毫欧姆，在导通状态下损耗低，有助于提高系统效率。适用于要求严苛的电源管理领域，如高性能电源转换器、太阳能逆变器以及其他需要高频率操作和低热耗散的设计中。
- 商品型号
- HC3M0021120D
- 商品编号
- C41428807
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.126667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |