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HC1M320120D
ID:7A VDSS:1200V RDON:320mR N沟道
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- 描述
- 该款碳化硅场效应管（MOSFET），标识为ID:7A，拥有1200V的漏源击穿电压（VDSS），确保了在高压应用中的可靠性。作为一款N沟道器件，它具备320毫欧姆的导通电阻（RDON），能够在导通状态下有效减少能量损失。这种特性使其成为需要高压及高效能解决方案应用的理想选择，例如在精密电源管理系统、高速开关电源以及对功率密度有较高要求的场合中发挥关键作用。
- 商品型号
- HC1M320120D
- 商品编号
- C41428808
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.651613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 324pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 24pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@18V |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 采用独立驱动源引脚的优化封装
- 具备高阻断电压与低导通电阻
- 低电容支持高速开关
- 快速本征二极管，反向恢复电荷低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源