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HC1M40120D
ID:68A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:68A，具有1200V的VDSS（漏源电压），适用于高压环境下的电路设计。作为一款N沟道MOSFET，其RDON（导通电阻）仅为40毫欧姆，这意味着在导通状态下的电力损耗极低，能够显著提升系统的整体效率。该MOSFET适合应用于要求高效率与可靠性的电源转换设备中，比如高性能的电源供应单元、便携式电子设备的充电解决方案等，特别是在需要高频操作与优异热性能的场合下表现突出。
- 商品型号
- HC1M40120D
- 商品编号
- C41428809
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.632258克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@18V |
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