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HC1M30065D
ID:97A VDSS:650V RDON:30mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备高达97A的电流处理能力（ID），并能承受最高650V的漏源电压（VDSS）。其出色的导通电阻（RDON）仅为30毫欧，这意味着在导通状态下能够显著降低能量损耗，提高整体系统的效率。该器件凭借其优良的电气特性，在高频开关电源、可再生能源系统以及需要高效能电力调节的应用中展现了良好的适用性，为设计者提供了实现高性能电力转换的坚实基础。
- 商品型号
- HC1M30065D
- 商品编号
- C41428805
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.919355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.079nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@18V |
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