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HC2M0650170D
ID:7A VDSS:1700V RDON:650mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有7A的最大连续电流（ID），并且能够承受高达1700V的漏源电压（VDSS）。尽管其导通电阻（RDON）为650毫欧，较高的耐压特性使其成为高压应用的理想选择。适用于需要在高压环境下稳定运行的电力转换电路，如便携式电子产品充电管理或消费类电子产品中的电源管理系统，为复杂电路提供可靠的保护和控制。
- 商品型号
- HC2M0650170D
- 商品编号
- C41428806
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.980645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 198pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |