HC3M0120090D
ID:22A VDSS:900V RDON:120mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）是一款N沟道器件，具有22A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达900V，导通电阻（RDON）仅为120毫欧。这些特性使得它非常适合用于要求高效率与高频率操作的应用中。其低导通电阻有助于减少导通状态下的损耗，而高的击穿电压则确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。适用于设计需要紧凑型高性能电力转换解决方案的场合。
- 商品型号
- HC3M0120090D
- 商品编号
- C41428804
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 414pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |